반도체 장치 및 그 제조 방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
출원번호 | 10-2016-7018699 |
출원일자 | 2016-07-12 |
공개번호 | 20160728 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 안정적인 전기적 특성을 갖는 높은 개구율의 박막 트랜지스터를 포함하는 고도로 신뢰성있는 표시 장치를 제조하고 제공하는 것이 목적이다.산화물 반도체막을 이용하여 채널 형성 영역을 포함한 반도체층을 형성하는 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 산화물 반도체막의 순도를 높이고 불순물인 수분 등을 저감하기 위한 열 처리(탈수화 또는 탈수소화를 위한 열 처리)를 수행한다.또한, 개구율은, 투광성을 갖는 도전막을 이용하여 게이트 전극층, 소스 전극층, 및 드레인 전극층을 형성함으로써 개선된다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167018699 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-029/786,H01L-021/02,H01L-027/12,H01L-033/42 |
주제어 (키워드) |