| 초록 |
발광 다이오드가 제공되고, 그것은 n형 접촉 층(contact layer) 및 n형 접촉 층에 인접한 광 생성 구조를 포함한다. 광 생성 구조는 일련의 양자 우물(quantum well)들을 포함한다. 접촉 층 및 광 생성 구조(light generating structure)는 n형 접촉 층의 에너지와 양자 우물의 전자 기저 상태 에너지(electron ground state energy)사이의 차이가 광 생성 구조의 재료에서 편극 광학적 포논(phonon)의 에너지보다 더 크도록 구성될 수 있다. 추가적으로, 광 생성 구조는 그것의 폭이 광 생성 구조로 주입되는 전자에 의한 편극 광학적 포논의 방출을 위한 평균 자유 행정(mean free path)에 유사하도록 구성될 수 있다. 다이오드(diode)는 차단층(blocking layer)을 포함하여, 그것은 차단층의 에너지와 양자 우물의 전자 기저 상태 에너지(electron ground state energy)사이의 차이가 광 생성 구조의 재료에서 편극 광학적 포논(phonon)의 에너지보다 더 크도록 구성될 수 있다. 다이오드는 접착층(adhesion layer)을 포함하는 복합물 접촉(composite contact)을 포함할 수 있어서, 그것은 광 생성 구조에 의해 생성되는 광에 적어도 부분적으로 투명하고 그리고 반사 금속 층은 광 생성 구조에 의해 생성되는 광의 적어도 일부를 반사하도록 구성된다. |
