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자가 정렬 플로팅 게이트 및 소거 게이트를 가지는 비휘발성 메모리 셀, 및 그를 제조하는 방법

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기관명	NDSL
출원인	실리콘 스토리지 테크놀로지 인크
출원번호	10-2016-7019439
출원일자	2016-07-18
공개번호	20160825
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	반도체 재료의 기판 내에 트렌치가 형성된 메모리 디바이스 및 이를 제조하는 방법이 제공된다.소스 영역이 트렌치 아래에 형성되고, 소스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역은 실질적으로 트렌치의 측벽을 따라서 연장하는 제1 부분 및 실질적으로 기판의 표면을 따라서 연장하는 제2 부분을 포함한다.플로팅 게이트는 트렌치 내에 배치되고, 채널 영역 제1 부분의 전도성을 제어하기 위해 채널 영역 제1 부분으로부터 절연된다.제어 게이트는 채널 영역 제2 부분의 전도성을 제어하기 위해 채널 영역 제2 부분 위에 배치되며 채널 영역 제2 부분으로부터 절연된다.소거 게이트는 플로팅 게이트 위에 적어도 부분적으로 배치되며 그로부터 절연된다.플로팅 게이트들의 쌍 사이의 트렌치의 임의의 부분은 소거 게이트의 하부 부분을 제외하고 전기 전도성 요소를 포함하지 않는다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167019439
첨부파일

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