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특허/실용신안

직류 중첩을 사용해서 유도 자기조립 패턴 결함률을 감소시키기 위한 에칭 프로세스

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호 10-2016-7008603
출원일자 2016-03-31
공개번호 20160510
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 직류 중첩을 사용해서 유도 자기조립 패턴 결함률을 감소시키기 위한 패터닝된 유도 자기조립층을 마련하기 위한 방법이 제공된다.제1 중간층 위에 배치된 블록 공중합체층을 구비한 기판이 제공되고, 상기 블록 공중합체층은 상기 블록 공중합체층에서 제1 패턴을 규정하는 제1 위상-분리 중합체와 제2 패턴을 규정하는 제2 위상-분리 중합체를 포함한다.상기 제1 위상-분리 중합체의 상기 제1 패턴을 남겨두면서, 상기 제2 위상-분리 중합체를 제거하기 위해 제1 프로세스 조성물로 형성된 플라즈마를 사용해서 제1 플라즈마 에칭 프로세스가 수행된다.제2 프로세스 조성물로 형성된 플라즈마를 사용해서 상기 제1 패턴을 상기 제1 중간층 안으로 전사하기 위해 제2 플라즈마 에칭 프로세스가 수행된다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167008603
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/027,G03F-007/00,H01L-021/033,H01L-021/311,B82Y-030/00,B82Y-040/00
주제어 (키워드)