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화학 기상 성장용 원료 및 이것을 사용한 실리콘 함유 박막 형성방법

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기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 아데카
출원번호	10-2016-7019497
출원일자	2016-07-18
공개번호	20160728
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명의 화학 기상 성장용 원료는 HSiCl(NR 1 R 2 )(NR 3 R 4 )(R 1 , R 3 은 탄소수 1~4의 알킬기 또는 수소를 나타내고, R 2 , R 4 는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타낸다)로 표시되는 유기 실리콘 함유 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이며, 기체상에 화학 기상 성장법에 의해 질화 실리콘 박막을 형성하는 원료로서 특히 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 화학 기상 성장용 원료를 사용하면, 300~500℃의 저온에서의 성막이 가능하다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167019497
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