트랜지스터의 제작 방법
기관명 | NDSL |
---|---|
출원인 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
출원번호 | 10-2016-7019519 |
출원일자 | 2016-07-18 |
공개번호 | 20160728 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 수소를 포함하는 산화물 반도체층 위에 수소 배리어층을 선택적으로 제공하고, 산화 처리를 행함으로써 산화물 반도체층 내의 소정의 영역으로부터 선택적으로 수소를 탈리시켜, 산화물 반도체층에 도전율이 다른 영역을 형성한다.그 후, 산화물 반도체층에 형성된 도전율이 다른 영역을 사용하여 채널 형성 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 형성할 수 있다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167019519 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
---|---|
ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-029/66,H01L-021/02,H01L-027/12,H01L-029/786 |
주제어 (키워드) |