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특허/실용신안

트랜지스터의 제작 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호 10-2016-7019519
출원일자 2016-07-18
공개번호 20160728
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 수소를 포함하는 산화물 반도체층 위에 수소 배리어층을 선택적으로 제공하고, 산화 처리를 행함으로써 산화물 반도체층 내의 소정의 영역으로부터 선택적으로 수소를 탈리시켜, 산화물 반도체층에 도전율이 다른 영역을 형성한다.그 후, 산화물 반도체층에 형성된 도전율이 다른 영역을 사용하여 채널 형성 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 형성할 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167019519
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-029/66,H01L-021/02,H01L-027/12,H01L-029/786
주제어 (키워드)