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EUV 포토마스크의 결함을 분석하고 제거하기 위한 방법 및 장치

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기관명	NDSL
출원인	칼 짜이스 에스엠에스 게엠베하
출원번호	10-2014-7004175
출원일자	2014-02-18
공개번호	20140515
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 극자외선 파장 범위에 대한 광학 소자 - 적어도 하나의 기판 및 적어도 하나의 다층 구조를 포함함 - 의 결함을 분석하는 방법에 관한 것이며, 상기 방법은 (a) 상기 결함을 자외선에 노광시킴으로써 제 1 데이터를 결정하는 단계, (b) 스캐닝 프로브 현미경으로 상기 결함을 스캐닝하여 제 2 데이터를 결정하는 단계, (c) 스캐닝 입자 현미경으로 상기 결함을 스캐닝함으로써 제 3 데이터를 결정하는 단계 및 (d) 상기 제 1 데이터, 상기 제 2 데이터 및 상기 제 3 데이터를 결합하는 단계를 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020147004175
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