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가스 펄싱을 사용하는 딥 실리콘 에칭 방법

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기관명	NDSL
출원인	도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호	10-2016-7014336
출원일자	2016-05-30
공개번호	20160707
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본원에 개시되는 기술들은 상대적으로 매끄러운 프로파일을 갖는 높은 애스팩트비 피처들을 에칭하는 연속적인 가스 펄싱 프로세스를 사용하여 딥 실리콘 피처들을 에칭하기 위한 방법들을 포함한다.그러한 방법들은 시간 다중화 에칭 퇴적 프로세스들보다 빠른 에칭비를 제공한다.기술들은 교호적인 화학물들의 주기적인 가스 펄싱 프로세스를 포함하는 연속적인 프로세스를 사용하는 것을 포함한다.하나의 프로세스 가스 혼합물은 할로겐 함유 실리콘 가스 및 산화물층을 형성하는 산소를 포함한다.제 2 프로세스 가스 혼합물은 할로겐 함유 가스, 및 산화물 및 실리콘을 에칭하는 불화탄소 가스를 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014336
첨부파일

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