기업조회

본문 바로가기 주메뉴 바로가기

특허/실용신안

수동소자 및 그 제조방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 전자부품연구원
출원번호 10-2014-0187007
출원일자 2014-12-23
공개번호 20160404
공개일자 2016-03-29
등록번호 10-1607259-0000
등록일자 2016-03-23
권리구분 KPTN
초록 본 발명은 수동소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 MIM(Metal Insulator Metal) 커패시터는 기판의 일면 상에 형성된 커패시터 박막 패턴, 커패시터 박막 패턴이 형성된 기판을 식각하여 형성된 트렌치(trench), 트렌치를 충진하면서 기판 상에 형성되어 있으며 커패시터를 구성하는 금속층들을 노출시키는 커패시터용 배선홀들이 형성되어 있는 절연층 및 IM 커패시터용 배선홀들에 도전성 물질을 충진하여 형성된 커패시터 전극배선을 포함하고, 기판의 타면은 트렌치에 형성된 절연층이 노출되도록 연마되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 기판의 타면 즉, 수동소자가 형성되는 기판의 일면과 대향하는 반대면이 연마되어 트렌치에 형성된 절연층이 노출된 구조를 갖기 때문에, 인접 단위 소자로의 전기적 누설의 통로를 원천적으로 차단하여 전기적 손실을 차단할 수 있고, 이에 따라, 최종 제품인 수동소자의 고주파 영역에서의 전기적 특성이 크게 향상되는 효과가 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020140187007
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-027/108,H01L-021/8242
주제어 (키워드)