| 초록 |
본 발명은 화학기상증착방법(CVD법)을 이용한 Si - SiO x 코어 쉘 구조의 나노와이어 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 튜브로의 가열부에 SiO x 분말과 기판 소재를 배치시키는 단계; 상기 가열부를 불활성 가스 분위기 하에서 가열하고 가열된 온도를 유지시키는 단계; 및 상기 가열부를 가열하여 기판의 온도가 700 내지 1000℃이 되도록 조절하여 SiO x 분말을 기판 표면 상에 증착시키는 단계를 포함하는, CVD법을 이용한 Si - SiO x 코어 쉘 구조의 나노와이어 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, CVD법을 이용하여 어떠한 촉매의 사용없이 다양한 기판 상에 간단하게 SiO x 분말을 증착시켜 30 nm 이하의 Si - SiO x 코어-쉘 나노와이어를 합성할 수 있으며, 이렇게 합성된 나노와이어는 바인더나 전도체 없이도 기판에 강하게 앵커되어 배터리의 충방전 속도를 향상시킬 수 있기 때문에 리튬 이온 배터리의 애노드 소재로서 유용하게 사용할 수 있다. |
