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반도체 장치

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기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-0076439
출원일자	2016-06-20
공개번호	20160707
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	전기 특성이 우수하고, 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 장치를 적은 공정으로 제작하는 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. In, Ga, 및 Zn을 포함하는 산화물 반도체막 위에 채널 보호층을 형성한 후, n형의 도전형을 갖는 막과, 도전막을 성막하고, 도전막 위에 레지스트 마스크를 형성한다.이 레지스트 마스크와 함께, 채널 보호층 및 게이트 절연막을 에칭 스토퍼로서 이용하고, 도전막과, n형의 도전형을 갖는 막과, In, Ga, 및 Zn을 포함하는 산화물 반도체막을 에칭하여, 소스 전극층 및 드레인 전극층과, 버퍼층과, 반도체층을 형성한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160076439
첨부파일

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