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저온다결정실리콘박막의 예정세척방법 및 그 제조방법, 제작시스템

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기관명	NDSL
출원인	센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
출원번호	10-2016-7016394
출원일자	2016-06-20
공개번호	20160728
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 액정디스플레이 기술 영역에 속하는 것으로서, 특히 저온 다결정실리콘 박막의 제조 방법에 대한 것으로서, 다음 단계를 포함한다: 기판상에서 아래로부터 위까지 차례로 완충층과 비결정질실리콘층을 생장시키는 제1단계; 상기 비결정질실리콘층을 가열하여 실온보다 높게 만들고, 상기 비결정질실리콘층을 사전 세척하는 제2단계; 엑시머레이저빔을 이용하여 상기 제2단계의 세척 후의 비결정질실리콘층을 조사하고, 상기 비결정질실리콘이 다결정실리콘으로 전화되도록 하는 제3단계. 본 발명은 또한 이러한 다결정실리콘 박막의 제작 시스템을 제공한다. 본 발명은 저온 다결정실리콘 박막 제작 시스템, 예정세척방법에 대해 개선함으로써, 비결정질실리콘층의 두께의 불균일한 상태를 개선하고, 이에 따라 후속 단계에서 ELA 조사 전화로 다결정실리콘 박막의 균일성을 형성한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016394
첨부파일

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