| 초록 |
본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 전자와 정공 중 하나를 제1 반도체층에 공급하는 제1 전극부와, 전자와 정공 중 나머지 하나를 제2 반도체층에 공급하는 제2 전극부; 그리고 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 상부 전극; 절연성 반사층 아래에서 복수의 반도체층과 전기적으로 연통된 연결형 오믹 전극, 및 연결형 오믹 전극으로부터 뻗는 가지 전극; 절연성 반사층을 관통하여 연결형 오믹 전극과 상부 전극을 연결하는 전기적 연결; 그리고 연결형 오믹 전극과 가지 전극이 이어지는 부분에서, 연결형 오믹 전극 및 가지 전극과 일체로 형성되는 보강부;를 포함하며, 가지전극의 폭은 연결형 오믹 전극의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다. |
