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반도체 디바이스 및 반도체 디바이스의 제조 방법

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	인피니언 테크놀로지스 아게
출원번호	10-2016-0076815
출원일자	2016-06-20
공개번호	20160707
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	반도체 디바이스는 반도체 본체의 제 1 영역의 수직 IGFET를 포함하고, 수직 IGFET는 본체 구역과 드레인 전극 사이에 드리프트 구역을 갖고, 드리프트 구역은 드레인 전극으로부터 거리 증가에 따라 감소하고 드레인 전극의 옆의 제 1 구역의 수직 도펀트 프로파일을 좌우하는 제 1 도펀트 프로파일과, 확장된 피크 도펀트 프로파일이고 본체 구역 옆의 제 2 구역의 수직 도펀트 프로파일을 좌우하는 제 2 도펀트 프로파일의 중첩인 제 1 도전형의 수직 도펀트 프로파일을 갖는다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160076815
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