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반도체 장치 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
출원번호	10-2016-0076775
출원일자	2016-06-20
공개번호	20160630
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	일부 실시예에 따라, 전도성 물질이 제1 복수의 핀들과 제2 복수의 핀들 위에서부터 제거되고, 제1 복수의 핀들은 짧은 게이트 길이 영역 내에 배치되고, 제2 복수의 핀들은 긴 게이트 길이 영역 내에 배치된다. 저압이고 고 유속인 적어도 하나의 에천트를 이용해서 건식 에칭을 초기에 수행함으로써 제거가 수행되며, 이 제거는 전도성 물질로 하여금 제1 복수의 핀들 위에서보다 제2 복수의 핀들 위에서 더 큰 두께를 갖게 한다. 따라서, 전도성 물질의 잔류물을 제거하도록 습식 에칭이 활용될 때, 제2 복수의 핀들과 전도성 물질 사이의 유전 물질이 손상되지 않는다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160076775
첨부파일

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