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동축 관통 실리콘 비아 구조체 및 그 제조방법

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기관명	NDSL
출원인	전자부품연구원
출원번호	10-2014-0052324
출원일자	2014-04-30
공개번호	20151112
공개일자	2016-01-05
등록번호	10-1582612-0000
등록일자	2015-12-29
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 동축 관통 실리콘 비아 구조체에 관한 것이다. 본 발명은 중심 폴(pole)의 측벽을 둘러싸는 캐버티(cavity)가 형성되어 있는 기판, 상기 중심 폴의 측벽과 상면에 형성되어 있는 내부 도전체, 상기 캐버티의 측벽과 상기 캐버티의 측벽 상부에서 외곽으로 연장되는 기판의 일부에 형성된 외부 도전체 및 상기 내부 도전체와 상기 외부 도전체를 전기적으로 절연시키도록 상기 캐버티를 포함하는 영역에 형성된 충전 절연층을 포함하여 구성된다. 본 발명에 따르면,고 단차비를 갖는 실리콘 구조를 TSV 코어 메탈(core metal)의 일부분으로 사용함으로써, 고 단차비 도금 공정의 어려움을 해결하고, 도금 시간을 단축시켜 쉽고 빠르게동축 관통 실리콘 비아 구조체를 제조할수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020140052324
첨부파일

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