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금속 플로팅 게이트 복합 3D NAND 메모리 디바이스 및 연관된 방법

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기관명	NDSL
출원인	인텔 코포레이션
출원번호	10-2016-7011513
출원일자	2016-04-29
공개번호	20160616
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	개선된 프로세스 마진과 향상된 성능을 갖는 3D NAND 메모리 구조체가 제공된다.이런 메모리 구조체는, 제1 절연층과 제2 절연층 사이에 배치되는 제어 게이트 물질 및 플로팅 게이트 물질, 제어 게이트 물질과 플로팅 게이트 물질 사이에 배치되는 금속층, 인터폴리 유전체(IPD) 층으로서, IPD 층이 플로팅 게이트 물질로부터 제어 게이트 물질을 전기적으로 분리하도록 금속층과 제어 게이트 물질 사이에 배치되는 IPD 층, 및 제어 게이트 물질 반대편의 플로팅 게이트 물질에 결합되는 터널 유전체 물질을 포함할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167011513
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