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바이폴라 소자에 대한 모델링 방법

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기관명	NDSL
출원인	대우전자주식회사
출원번호	10-1997-0059374
출원일자	1997-11-12
공개번호	20080509
공개일자	2000-03-15
등록번호	10-0249655-0000
등록일자	1999-12-27
권리구분	KPTN
초록	바이폴라 소자에 대한 모델링이 개시된다. 바이폴라 소자는 제1 도전형의 기판, 기판의 상부에 형성된 제2 도전형의 매몰층, 매몰층의 상부에 형성된 제2 도전형의 아일랜드, 기판과 아일랜드를 격리하기 위한 제1 도전형의 격리 영역, 그리고 아일랜드의 표면에 형성된 제2 도전형의 콜렉터 영역, 제1 도전형의 베이스 영역 및 제2 도전형의 에미터 영역을 구비한다. 아일랜드간의 항복 전압에 영향을 미치는 변수들을 결정하고, 변수들의 변화에 대한 항복 전압의 변화를 2차 방정식 형태의 수식으로 모델링하며, 수식에 사용되는 각 파라미터들을 모의 실험을 통해 추출한다. 칩의 크기에 큰 영향을 주는 격리 영역의 레이아웃과 회로 특성과의 관계에 대한 모델링을 제시함으로써 공정과 회로 설계간의 유기적 관계를 형성하여 격리 영역의 최소 폭을 설정할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1019970059374
첨부파일

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