| 초록 |
본원에 개시된 실시예들은 반도체 디바이스 및, 상기 반도체 디바이스를 형성하는 방법들 및 장치들을 제공한다.반도체 디바이스는 소스 영역 및 드레인 영역을 갖는 기판과, 그리고 소스 영역과 드레인 영역 사이의 기판 상의 게이트 전극 스택을 포함한다.게이트 전극 스택은 게이트 유전체 층 상의 전도성 필름 층, 상기 전도성 필름 층 상의 내화 금속 질화물 필름 층, 상기 내화 금속 질화물 필름 층 상의 실리콘-함유 필름 층, 그리고 상기 실리콘-함유 필름 층 상의 텅스텐 필름 층을 포함한다.일 실시예에서, 방법은 프로세싱 챔버 내에 기판을 위치시키는 단계를 포함하고, 상기 기판은 소스 영역 및 드레인 영역, 소스 영역과 드레인 영역 사이의 게이트 유전체 층, 및 상기 게이트 유전체 층 상의 전도성 필름 층을 포함한다.그러한 방법은 또한 상기 전도성 필름 층 상에 내화 금속 질화물 필름 층을 증착하는 단계, 상기 내화 금속 질화물 필름 층 상에 실리콘-함유 필름 층을 증착하는 단계, 그리고 상기 실리콘-함유 필름 층 상에 텅스텐 필름 층을 증착하는 단계를 포함한다. |
