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반도체 장치의 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
출원번호	10-2015-0154476
출원일자	2015-11-04
공개번호	20160519
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명의 과제는, 반도체 장치의 신뢰성을 향상시키고, 또한 반도체 장치의 소형화를 실현하는 것이다.전극 패드(EP)의 상면이 노출되는 개구부(OP1)가 형성된 제1 절연 부재(IOL)를 갖는 반도체 웨이퍼(SW)를 준비한다.계속해서, 반도체 웨이퍼(SW)의 주면 상에 제2 절연 부재(OL)를 형성한 후, 전극 패드(EP)의 상면이 노출되는 개구부(OP2)를 제2 절연 부재(OL)에 형성한 후, 전극 패드(EP)에 프로브 니들을 접촉시켜, 반도체 웨이퍼(SW)의 주면에 형성된 메모리 회로에 데이터를 기입한다.계속해서, 전극 패드(EP)의 상면을 도전성의 커버막(CF)으로 덮은 후, 재배치 배선(RW)을 형성한다.여기서, Y 방향에 있어서, 전극 패드(EP)의 바로 위에 위치하는 재배치 배선(RW)의 폭 L RW 는, 제1 절연 부재(IOL)에 형성된 개구부(OP1)의 폭 L OP1 과 동일하거나, 그것보다도 작다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020150154476
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