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화학적 기상 증착(CVD) 반응기용 처리 챔버와 이 챔버에서 사용되는 열화 프로세스

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기관명	NDSL
출원인	코버스 에스아에스
출원번호	10-2019-7020734
출원일자	2019-07-16
공개번호	20190905
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명에 따른 화학적 기상 증착(CVD) 반응기용 처리 챔버(C)는, 부분 진공 하의 인클로저(E)를 획정하는 본체(B) 내에, 지지 요소(5) 상에 배치된 기판(8) 상에 성막할 목적으로 반응성 종을 주입하는 주입 시스템(3)과, 상기 주입 시스템(3)의 온도를 실질적으로 일정하게 유지하거나 조절하기 위한 열 제어 시스템(2)을 포함하고, 상기 열 제어 시스템(2)은 상기 주입 시스템(3)과의 계면 영역(ZI)을 구비하는 것이다.상기 처리 챔버(C)는, (i) 오염 종의 확산 및 압박에 대한 절연 배리어에 의해 부분 진공 하의 상기 인클로저(E)로부터 절연되어 있고, (ⅱ) 열 계면 물질(10)로 충전되어 있는, 적어도 하나의 열 전달 영역(ZT)을, 상기 계면 영역(ZI)에서 더 포함한다.CVD 성막, 특히 펄스형 CVD 성막을 실시하는 데 적용된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020197020734
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