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후막 포토레지스트 패턴의 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
출원번호	10-2012-0143309
출원일자	2012-12-11
공개번호	20130628
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	(과제) 버블을 억제한 후막 포토레지스트 패턴의 제조 방법을 제공한다. (해결수단) 지지체 상에 후막용 화학 증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물로 이루어지는 후막 포토레지스트층을 적층하는 적층 공정과, 상기 후막 포토레지스트층에 활성 광선 또는 방사선을 조사하는 노광 공정과, 노광 후의 상기 후막 포토레지스트층을 현상하여 후막 포토레지스트 패턴을 얻는 현상 공정을 포함하고, 상기 후막용 화학 증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물은 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 산 발생제 (A) 와, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 증대되는 수지 (B) 와, 유기 용제 (S) 를 함유하고, 상기 유기 용제 (S) 는 대기압에서의 비점이 150 ℃ 이상이고, 실리콘 기판에 대한 접촉각이 18 도 이하인 유기 용제를 전체 유기 용제 중 40 질량% 이상 함유하는 것이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020120143309
첨부파일

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