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특허/실용신안

원자층 식각 장비를 이용한 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 성균관대학교산학협력단
출원번호 10-2014-0041941
출원일자 2014-04-08
공개번호 20151022
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 MRAM 물질의 손상을 최소화하면서 제거할 수 있는 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 MRAM 물질 식각 부산물 제거 방법은 반응챔버 내부에 흡착가스를 주입하여 재증착층에 흡착시키는 제1 단계, 상기 흡착가스 중 상기 재증착층에 흡착되지 않고 남은 가스를 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제2 단계, 상기 흡착가스가 흡착된 재증착층에 반응성 이온빔을 조사하여 상기 재증착층을 탈착시키는 제3 단계 및 탈착된 혼합물을 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제4 단계를 포함할 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020140041941
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/302,G11C-011/15,H01L-021/3065,H01L-043/08
주제어 (키워드)