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발광 디바이스

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기관명	NDSL
출원인	오엘이디워크스 게엠베하
출원번호	10-2016-7014598
출원일자	2016-06-01
공개번호	20160714
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 발광 디바이스(1)에 관한 것이며, 발광 디바이스는 기판(5), 투명 애노드 층(7), 캐소드 층(9), 애노드 층과 캐소드 층 사이에 있는 발광 층(8), 및 기판과 애노드 층 사이에 있는 중간 층(4)을 포함한다.애노드 층과 접촉하도록 전기 전도성 요소가 중간 층 내에 매립된다.또한, 광을 산란시키기 위한 산란 입자들이 중간 층 내에 매립되어, 디바이스의 광 아웃커플링 효율을 증가시킨다.전기 전도성 요소가 예를 들어 애노드 층의 상부가 아니라, 즉 애노드 층과 캐소드 층 사이가 아니라 중간 층 내에 매립되기 때문에, 발광 재료에 악영향을 미칠 수 있는 패시베이션 층을 요구하지 않고 애노드 층의 시트 저항이 감소될 수 있다.또한, 매립되는 전기 전도성 요소는 투명 애노드 층의 두께가 약 50㎚ 이하의 두께로 감소되는 것을 허용하고, 그에 의해 광 아웃커플링 효율에 대한 투명 애노드 층에 의한 광 흡수의 영향을 최소화한다.이는 개선된 발광 품질을 허용한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167014598
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