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분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법

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기관명	NDSL
출원인	단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단
출원번호	10-2012-0095595
출원일자	2012-08-30
공개번호	20140227
공개일자	2014-02-25
등록번호	10-1360540-0000
등록일자	2014-02-03
권리구분	KPTN
초록	분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법이 제공된다. 분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법은 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 박막층을 포함하는 타겟을 준비하는 단계, 분광타원해석기를 이용하여 상기 타겟에 편광된 광을 입사하고, 상기 타겟으로부터 반사되는 광의 엘립소미터리 측정값을 획득하는 단계, 상기 측정값에 대하여 모델링을 수행하여 상기 박막층의 두께를 산출하는 단계, 상기 박막층의 두께를 이용하여 상기 박막층의 복소유전함수 그래프를 추출하고, 상기 복소유전함수 그래프를 이용하여 박막층 내의 구조적 결함 정보를 획득하는 단계 및 상기 박막층 내의 구조적 결함 정보를 이용하여 상기 박막층을 채용하기 위한 전자 소자의 특성을 평가하는 단계를 포함함으로써 전자 소자의 일부를 구성하는 박막 하나만을 이용하여 간단하고 용이하게 소자 전체의 특성을 평가할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020120095595
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