트랜지스터 어레이 및 그 제조 방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 베이징 인스티튜트 오브 나노에너지 앤드 나노시스템즈 |
출원번호 | 10-2015-7021714 |
출원일자 | 2015-08-11 |
공개번호 | 20151008 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 트랜지스터 어레이는, 베이스(100) 및 베이스(100)를 공용하는 복수 개의 트랜지스터 유닛(200)을 포함한다. 트랜지스터 유닛 (200)은, 베이스 (100) 상에 위치하는 하부 전극 (201) 및 하부 전극 인출선; 하부 전극 (201) 상의 압전 재료로 구성된 압전체(202); 및 압전체(202) 상의 상부 전극 (203); 을 포함한다. 트랜지스터 어레이의 제조 방법에 있어서, 트랜지스터 어레이의 트랜지스터 유닛(200)은 2단자 장치로서, 트랜지스터 유닛 (200)의 상부 전극 (203)과 하부 전극 (201) 사이에 압전 특성을 가지는 압전체(202)를 형성하는데, 트랜지스터 유닛(200)에 작용하는 외력에 의해 트랜지스터 어레이의 트랜지스터 유닛(200)의 캐리어 수송 과정을 효과적으로 제어 또는 트리거링한다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157021714 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-041/113,G01L-001/16,H01L-027/20,H01L-029/78,H01L-041/047,H01L-041/18,H01L-041/332 |
주제어 (키워드) |