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나노구조화 층 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	포르슝스젠트룸 율리히 게엠베하
출원번호	10-2017-7035579
출원일자	2017-12-11
공개번호	20180222
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 전기화학 셀을 위한 나노구조화 전극의 제조를 위한 방법에 관한 것이며, 상기 방법에 따라서 활성 물질은 마그네트론 스퍼터링에 의해 전기 전도성 기판 상에 증착되고, 부가적인 탄소 함량을 함유하는 전극 물질(활성 물질)을 포함하는 세라믹 타깃이 이용되며, 기판은 증착 동안 400℃와 1200℃ 사이의 온도에서 유지된다.또한, 본 발명은, 전기 전도성 기판 상에 활성 물질로 이루어진 코팅층을 포함하는, 전기화학 셀용 나노구조화 전극에도 관한 것이며, 나노구조화 활성 물질은 기판 표면에 대해 수직인 우선 방향을 갖지 않는 다공성 구조를 보유한다.바람직하게는, 전극의 활성 물질은 섬유상 구조를 보유하며, 섬유들은 10 내지 500㎚의 범위, 특히 10과 200㎚ 사이의 범위의 지름을 보유한다.다공도는 20과 90% 사이이다.나노구조화 전극은 바람직하게는 전술한 방법에 따라서 제조될 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020177035579
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