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특허/실용신안

하전 입자 빔 묘화 장치, 하전 입자 빔을 사용한 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화에서의 샷 보정 방법

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
출원번호 10-2015-0140987
출원일자 2015-10-07
공개번호 20160510
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 피패터닝 부재 상에 레지스트층이 형성된 시료에 있어서의 상기 레지스트층에 하전 입자 빔으로 미세 패턴의 잠상을 묘화하는 하전 입자 빔 묘화 장치에, 상기 시료에 대응한 층 구성을 갖는 테스트 샘플에 소정의 조건 하에 다수의 치수 측정용 패턴을 형성했을 때의 XY 치수 변동량의 면 내 분포 데이터로부터 얻어지는 샷 단면 사이즈 및 샷 조사 위치 각각의 보정 정보와, 상기 미세 패턴의 설계 데이터를 사용해서 상기 레지스트층에 조사해야 할 하전 입자 빔의 각 샷의 샷 데이터를 작성하는 샷 데이터 작성 처리 장치를 설치한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020150140987
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE G03F-001/20,G03F-001/44,G03F-007/20,H01L-021/027
주제어 (키워드)