| 초록 |
본 발명은 기판(2) 및 반사 코팅(3, 4)을 포함하는 EUV 리소그래피를 위한 미러(1)에 관한 것이며, 여기서 반사 코팅은 제1 그룹(3)의 층들(3a, 3b) 및 제2 그룹(4)의 층들(4a, 4b)을 포함하고, 제1 그룹(3)의 층들(3a, 3b) 및 제2 그룹(4)의 층들(4a, 4b)은 각각의 경우에 5㎚ 내지 30㎚의 범위의 이용 파장을 갖는 방사선을 반사하도록 설계되고, 제1 그룹(3)의 층들(3a, 3b)은 기판(2)과 제2 그룹(4)의 층들(4a, 4b) 사이에 배열되고, 제1 그룹(3)의 층들(3a, 3b)과 제2 그룹(4)의 층들(4a, 4b) 사이에 디커플링 코팅(6)이 배열되고, 디커플링 코팅은, 이용 파장을 갖는 방사선이 제1 그룹(3)의 층들(3a, 3b)에 도달하는 것을 방지함으로써 제1 그룹(3)의 층들(3a, 3b)로부터 제2 그룹(4)의 층들(4a, 4b)을 광학적으로 디커플링하도록 설계된다.반사 코팅(3, 4)은 바람직하게는 미러(1)의 표면 형태를 보정하기 위한 층 두께 변동을 갖는 보정층(5)을 갖는다.또한, 본 발명은 적어도 하나의 미러를 포함하는 EUV 리소그래피를 위한 투영 광학 유닛과 광학 시스템, 이러한 미러의 표면 형태를 보정하기 위한 방법, 및 이러한 투영 광학 유닛의 결상 특성들을 보정하기 위한 방법에 관한 것이다. |
