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불휘발성 메모리장치 및 그 제조방법

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기관명	NDSL
출원인	삼성전자주식회사
출원번호	10-1997-0019561
출원일자	1997-05-20
공개번호	20080509
공개일자	1999-10-15
등록번호	10-0224701-0000
등록일자	1999-07-15
권리구분	KPTN
초록	게이트 산화막과 메모리 셀 게이트의 손상을 방지할 수 있으며, 고집적화가 가능한 불휘발성 메모리장치 및 그 제조방법이 기재되어 있다. 본 발명에 따르면, 소오스라인 형성을 위한 필드산화막 식각이나 이온주입시 워드라인 특히, 셀 게이트가 물리적 또는 전기적으로 손상되지 않도록, 필드산화막과 식각선택비가 큰 물질을 이용한 식각보호층 및 스페이서가 셀 게이트와 워드라인 상부 및 그 측벽에 형성되어 있다. 또한, 소오스라인이 형성될 부분 뿐만 아니라, 드레인 활성영역과 인접한 필드산화막 일부가 제거된 상태에서 불순물이 주입되기 때문에, 실제 드레인 활성영역이 설계치보다 크게 형성될 수 있어 고집적화에 유리하다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1019970019561
첨부파일

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