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건식 플라즈마 에칭 동안 선택도 강화를 위한 방법

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기관명	NDSL
출원인	도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호	10-2015-0150180
출원일자	2015-10-28
공개번호	20160512
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	기판 상의 층을 에칭하는 방법이 설명된다.이 방법은 플라즈마 프로세싱시스템의 프로세싱 공간 내에 제1 물질 및 제2 물질로 합성된 이질층(heterogeneous layer) - 이질층은 프로세싱 공간 내에서 제1 물질 및 제2 물질을 플라즈마 환경에 노출시키는 초기 상부면을 가짐 - 을 갖는 기판을 퇴적시키는 단계와, 제2 물질을 제거하는 속도보다 더 빠른 속도로 제1 물질을 선택적으로 제거하기 위해 변조된(modulated) 플라즈마 에칭 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다.변조된 플라즈마 에칭 프로세스는, 바람직하게 변조 주기의 제1 위상(phase) 동안 에천트를 제1 물질과 반응시키고, 변조 주기의 제2 위상 동안 제1 물질과 비교해 제2 물질 상에 표면 보호제(passivant)를 상이하게 부착시키는 변조 주기를 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020150150180
첨부파일

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