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MOCVD 시스템에 의해 사파이어 기판상에 성장된 알륨갈륨아세나이드 층

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기관명	NDSL
출원인	광전자 주식회사
출원번호	10-2016-0100229
출원일자	2016-08-05
공개번호	20160825
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 사파이어 기판상에 AlGaAs층을 형성하는 방법과 이를 이용하여 제조되는 기판에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 투명한 사파이어 기판 위에 고 품질의 AlGaAs 층 성장 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판의 제조 방법은 사파이어 기판상에 GaAs 또는 AlxGa1-xAs (x 본 발명에서는 MOCVD를 이용하여, Al 2 O 3 기판에 격자상수가 다른 AlGaAs 층을 고품질로 성장하여 AlGaAs 계열의 소자제작에 투명하고 강도가 높은 신규 기판 사용을 가능하게 하였다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160100229
첨부파일

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