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나노구조 프로세싱을 위한 도전성 보조층의 증착과 선택적 제거

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기관명	NDSL
출원인	스몰텍 에이비
출원번호	10-2016-7016883
출원일자	2016-06-23
공개번호	20160707
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 기판의 상부 표면상에 도전성 보조층(conducting helplayer)을 증착하는 단계; 도전성 보조층 상에 촉매의 패턴화된 층을 증착하는 단계; 촉매의 층 상에 하나 이상의 나노구조들을 성장시키는 단계; 및 하나 이상의 나노구조들 사이 및 주위에 도전성 보조층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 하나 이상의 나노구조들을 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한 하나 이상의 절연 영역에 의해 분리된 하나 이상의 노출된 금속 아일랜드를 포함하는 기판; 하나 이상의 노출된 금속 아일랜드 또는 절연 영역의 적어도 일부를 덮는 기판상에 배치된 도전성 보조층; 도전성 보조층 상에 배치된 촉매층; 및 촉매층 상에 배치된 하나 이상의 나노구조들을 포함하는 디바이스에 관한 것이다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016883
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