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마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	호야 가부시키가이샤
출원번호	10-2016-7016865
출원일자	2016-06-23
공개번호	20160811
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	ArF 엑시머 레이저의 노광광에 대한 투과율이나 위상 시프트양의 변화가 억제된 위상 시프트막이며, 또한 EB 결함 수정을 행했을 때 투광성 기판과의 경계를 검출하기 위한 에칭 종점의 검출이 용이한 위상 시프트막을 구비하는 마스크 블랭크를 제공한다. 위상 시프트막은, ArF 엑시머 레이저의 노광광을 2% 이상 10% 미만의 투과율로 투과시키는 기능과, 위상 시프트막을 투과한 상기 노광광에 대하여 위상 시프트막의 두께와 동일한 거리 공기 중을 통과한 상기 노광광 사이에서 150도 이상 190도 이하의 위상차를 발생시키는 기능을 갖고, 위상 시프트막은 하층과 상층이 적층된 구조를 포함하고, 하층은 금속 및 규소를 함유하고, 산소를 실질적으로 함유하지 않는 재료로 형성되고, 상층은 금속, 규소, 질소 및 산소를 함유하는 재료로 형성되고, 하층의 두께는 상층보다 얇고, 상층의 금속 및 규소의 합계 함유량에 대한 금속의 함유량의 비율은, 하층보다 작다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167016865
첨부파일

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