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특허/실용신안

경질 마스크를 선별적으로 제거하기 위한 제거 조성물

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 ,
출원번호 10-2016-7012242
출원일자 2016-05-10
공개번호 20160616
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명은 반도체 기재로부터 TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, Ti, Ti 합금 및 W 합금으로 본질적으로 이루어지는 경질 마스크를 저-k 유전체 재료에 대해 선별적으로 제거하기 위한 제거 조성물에 관한 것이다.반도체 기재는 저-k 유전체 재료를 포함하며, 그 위에 TiN, TaN, TiNxOy, TiW, W, Ti, Ti 합금 또는 W 합금의 경질 마스크를 갖는다.제거 조성물은 0.1 중량% 내지 90 중량%의 산화제; 0.0001 중량% 내지 50 중량%의 카르복실레이트; 및 탈이온수를 포함하는, 제거 조성물의 최대 100 중량%의 잔부를 포함한다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167012242
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C11D-003/39,C11D-011/00,C11D-003/395,C23F-001/26,C23F-001/38,C23F-011/14
주제어 (키워드)