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산화물 반도체막 및 그 형성 방법

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기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2015-7035079
출원일자	2015-12-10
공개번호	20160128
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 결정성 산화물 반도체막을 제공한다.결정성 In-Ga-Zn 산화물을 포함하는 타깃에 이온을 충돌시킴으로써, 평판상의 In-Ga-Zn 산화물이 분리된다.평판상의 In-Ga-Zn 산화물에서, 갈륨 원자와 아연 원자와 산소 원자를 포함한 제 1 층, 아연 원자와 산소 원자를 포함한 제 2 층, 인듐 원자와 산소 원자를 포함한 제 3 층, 및 갈륨 원자와 아연 원자와 산소 원자를 포함한 제 4 층이 순차적으로 적층된다.결정성을 유지하면서 평판상의 In-Ga-Zn 산화물이 기판 위에 퇴적된 후에 제 2 층을 가스화하여 배기한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020157035079
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