반도체 장치, 그 반도체 장치의 제작 방법 및 그 반도체 장치를 가지는 전자기기
기관명 | NDSL |
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출원인 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
출원번호 | 10-2016-0098808 |
출원일자 | 2016-08-03 |
공개번호 | 20160818 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | 산화물 반도체층을 사용한 박막 트랜지스터에 있어서, 산화물 반도체층과 게이트 절연층의 사이에, 상기 산화물 반도체층보다 도전율이 높은 산화물 클러스터를 형성함으로써, 상기 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 향상시키고, 또한 오프 전류의 증대를 억제할 수 있다. [색인어] 반도체 장치, 산화물 반도체층, 박막 트랜지스터, 전계 효과 이동도. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160098808 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-029/786,H01L-027/12,H01L-029/45,H01L-029/66 |
주제어 (키워드) |