나트륨 또는 안티몬으로 CIGS 나노입자들을 도핑하는 방법
기관명 | NDSL |
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출원인 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 |
출원번호 | 10-2016-7019853 |
출원일자 | 2016-07-20 |
공개번호 | 20160825 |
공개일자 | 0000-00-00 |
등록번호 | |
등록일자 | 0000-00-00 |
권리구분 | KUPA |
초록 | CIGS 층이 태양 전지 소자에 증착될 때 다양한 방법들이 사용되어 원하는 농도의 금속 도핑을 CIGS-함유 잉크에 제공한다. 도핑 금속이 나트륨일 경우, 도핑 금속이 나트륨일 경우, 나트륨은: Cu(In,Ga)(S,Se) 2 나노입자들의 합성 반응의 시작에서, 나트륨염 예를 들어 아세트산염 나트륨(sodium acetate)을 구리-, 인듐- 그리고/또는 갈륨-함유 시약(reagent)과 함께 첨가하고; Cu(In,Ga)(S,Se) 2 나노입자들을 합성하고 그리고 나트륨염을 반응 용액에 첨가하고 이어 나트륨 확산을 보조하기 위해 나노입자들을 분리하기 전에 중온 가열(mild heating)하고; 그리고/또는, Cu(In,Ga)(S,Se) 2 나노입자들을 그 분자 사슬의 일단으로 캐핑할 수 있고 그 분자 사들의 타단이 나트륨 원자들에 결합할 수 있는 리간드를 사용함으로써, 편입(포함)될 수 있다. |
원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167019853 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
IPC분류체계CODE | H01L-031/032,H01L-021/02,H01L-031/0445 |
주제어 (키워드) |