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직접 플라즈마 고밀화 프로세스 및 반도체 디바이스들

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기관명	NDSL
출원인	인텔 코포레이션
출원번호	10-2016-7013593
출원일자	2016-05-23
공개번호	20160825
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 개시내용의 양태는 반도체 디바이스 상에 장벽 층을 형성하는 방법에 관한 것이다.이 방법은 반응 챔버 내로 기판을 배치하는 단계, 및 기판 위에 장벽 층을 퇴적하는 단계를 포함한다.장벽 층은 금속 및 비금속을 포함하고, 장벽 층은 4nm 이하의 퇴적 시의 두께를 나타낸다.이 방법은, 장벽 층에 근접하여 가스로부터 플라즈마를 형성함으로써 장벽 층을 고밀화하는 단계, 및 장벽 층의 두께를 감소시키고 밀도를 증가시키는 단계를 더 포함한다.실시예들에서, 고밀화 동안, 300 와트 이하의 전력이 350kHz 내지 40MHz의 주파수에서 플라즈마에 인가된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020167013593
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