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특허/실용신안

SiC 웨이퍼용 CMP 물질 제거율을 향상시키기 위한 실리콘 카바이드 에천트로서의 할라이트 염

특허 실용신안 개요

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기관명 NDSL
출원인 팡, 트레리안트
출원번호 10-2016-0154015
출원일자 2016-11-18
공개번호 20170615
공개일자 2018-10-29
등록번호 10-1913003-0000
등록일자 2018-10-23
권리구분 KPTN
초록 일반식 MXO 2 (여기서 M은 알칼리 금속, X는 할로겐, O는 산소)를 가진 실리콘 카바이드(SiC) 에천트를 개시한다. 수성 슬러리 형태 안의 연마재 분말과 혼합이 되면, 이 MXO 2 에천트는 화학적 기계적 연마(CMP) 동안에 SiC 물질 제거율을 향상시키는 마찰화학적 반응물로서 작용한다. 물질 제거율은 할라이트 에천트가 없는 슬러리 대비, 몇 자릿수 이상의 크기로까지 증가된다. 식 MXO 2 안에서 대표적인 금속은 K(포타슘) 및 Na(소듐)이고, X는 Cl(염소), Br(브롬) 및 I(요오드)를 포함한다. MXO 2 화합물의 전체 종류는 금속 할라이트 또는 암모늄 할라이트의 화학군에 속한다. 할라이트 군 중에서 가장 간단하고 가장 입수하기 편한 종류인 소듐 클로라이트, NaClO 2 가 대표적인 예이다. 향상된 연마율은 SiC 기판 연마 조작을 위한 CMP 생산량을 상당히 증가시키는 데에 활용될 수 있다. 연마 제제 안에 독성 중금속 이온이 부재하므로, CMP 공정으로부터의 연마 폐수는 폐수 처리 설비 안에서 쉽게 처리될 수 있다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020160154015
첨부파일

추가정보

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과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE C09K-013/08,C09K-013/04
주제어 (키워드)