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특허/실용신안

랩핑된 탄소나노튜브가 포함된 유기반도체층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 주식회사 나노웨어러블
출원번호 10-2017-0033578
출원일자 2017-03-17
공개번호 20180517
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 본 발명은 랩핑된 탄소나노튜브가 포함된 유기반도체층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터에 관한 것으로, 화학식 1의 고분자가 랩핑된 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 층으로, 상기 화학식 1의 고분자는 반도체성질을 갖는 단일벽 탄소나노튜브만을 선택적으로 랩핑하는 것을 특징으로 하는 랩핑된 탄소나노튜브가 포함된 유기반도체층, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터를 제공한다. [화학식 1]
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020170033578
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-051/05,H01L-051/00,B82Y-020/00
주제어 (키워드)