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이종 방사선 측정 센서 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	한국원자력연구원
출원번호	10-2016-0080768
출원일자	2016-06-28
공개번호	20160721
공개일자	2016-08-17
등록번호	10-1648395-0000
등록일자	2016-08-09
권리구분	KPTN
초록	이종 방사선 측정 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 반도체 기판, 반도체 기판의 하면에 형성된 적어도 하나의 하부전극, 반도체 기판의 상면에 하부전극과 전기적으로 연결되는 복수의 상부전극 및 복수의 상부전극 상에 각각 다른 물질과 반응하는 감지막을 포함한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020160080768
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