| 초록 |
본 발명은 사용 온도를 초과하는 열팽창 계수가 가능하다면 안정하게 0으로 유지되는, EUV 리소그래피에서 사용하기 위한 구체적인 플루오르 함량을 갖는 티탄 도핑, 높은 규산성 유리로부터 블랭크를 제조하는 방법에 관한 것이다. Ti-도핑 실리카 유리의 열팽창 계수의 코스(course)는 다수의 영향 인자에 의존한다. 절대적 티탄 함량에 더하여, 플루오르와 같은 추가 도핑 소자의 비율 및 분포와 같이 티탄의 분포가 상당한 중요성을 가진다. 본 발명에 따라서 방법은 규소 및 티탄을 함유하는 유입 기질의 화염 가수분해에 의하여 TiO 2 -SiO 2 수트 입자가 생성되는 방법 단계 및 TiO 2 -SiO 2 수트 입자가 이동 분말 베드 내의 플루오르 함유 시약에 노출되고 플루오르 도핑 TiO 2 -SiO 2 수트 입자로 전환되는 연속적인 방법 단계를 포함하는 합성 공정을 특징으로 하는, 플루오르 도핑 TiO 2 -SiO 2 수트 입자가 생성되고 경화를 통해 더 가공되고 블랭크로 유리화되는 합성 공정을 포함한다. |
