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특허/실용신안

플라즈마 처리 장치

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호 10-2016-0098328
출원일자 2016-08-02
공개번호 20160825
공개일자 0000-00-00
등록번호
등록일자 0000-00-00
권리구분 KUPA
초록 플라즈마 생성에 소비되는 고주파의 전계강도 분포를 제어한다. 고주파의 에너지에 의해 플라즈마를 생성하고, 웨이퍼 W를 플라즈마 처리하는 플라즈마 에칭 장치(10)에 이용되는 전극으로서, 금속에 의해 형성된 기재(105a)와, 기재(105a)의 플라즈마측의 면의 중앙부에 마련되고, 기재(105a)로부터 적어도 일부가 노출하는 제 1 유전체(105b)와, 제 1 유전체(105b)와 플라즈마의 사이에 마련되고, 금속에 의해 소정의 패턴으로 형성된 제 1 저항체(105d)를 갖는다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160098328
첨부파일

추가정보

과학기술표준분류, ICT 기술분류, IPC분류체계CODE, 주제어 (키워드) 순으로 구성된 표입니다.
과학기술표준분류
ICT 기술분류
IPC분류체계CODE H01L-021/02,H01L-021/3065,H01L-021/3213,H05H-001/34,H05H-001/46
주제어 (키워드)