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레지스트 리플로우 온도 향상을 위한 직류 중첩 경화

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기관명	NDSL
출원인	도쿄엘렉트론가부시키가이샤
출원번호	10-2015-0103655
출원일자	2015-07-22
공개번호	20160204
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본원의 기술은, 상대적으로 더 높은 열 리플로우 내성을 가능하게 하기 위해, 기판 상의 재료(예컨대 레지스트)의 층을 경화하는 방법을 포함한다. 리플로우 내성을 증가시키는 것은, 블록 코폴리머의 성공적인 방향성 자기 조립을 가능하게 한다. 기술은 패턴화된 포토레지스트 층을 갖는 기판을 수용하는 것 및 용량 결합 플라즈마 시스템의 프로세싱 챔버에 이 기판을 위치시키는 것을 포함한다. 패턴화된 포토레지스트 층은, 플라즈마 프로세싱 동안 음극의 직류 전력을 플라즈마 프로세싱 시스템의 상부 전극에 커플링하는 것에 의해 전자의 플럭스로 처리된다. 전자의 플럭스는 플라즈마와 그 시스(sheath)를 통과할 충분한 에너지로 상부 전극으로부터 가속되어, 패턴화된 포토레지스트 층이 물리적 특성이 변경되도록 기판에 충돌하게 되는데, 물리적 특성에서의 변화는 증가된 유리-액체 전이 온도를 포함할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020150103655
첨부파일

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