| 기업공감원스톱서비스

반도체 장치

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
출원번호	10-2016-0091128
출원일자	2016-07-19
공개번호	20160728
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	산화물 반도체를 사용한 박막 트랜지스터를 구비한 화소를 제작할 때에, 생산성의 향상을 도모한다. 기판 위에 형성된 게이트 전극으로서 기능하는 제 1 배선과, 상기 제 1 배선 위에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 위에 저저항 산화물 반도체층 및 상기 저저항 산화물 반도체층 위에 도전층이 적층되어 형성된 제 2 배선, 그리고, 상기 저저항 산화물 반도체층 및 상기 저저항 산화물 반도체층의 화소 전극으로서 기능하는 영역이 노출되도록 상기 도전층이 적층되어 형성된 전극층과, 상기 게이트 절연막 위의 상기 제 2 배선과 상기 전극층 사이에 형성된 고저항 산화물 반도체층을 갖는다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020160091128
첨부파일

기업조회