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투과 소각 X 선 산란 계측 시스템

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기관명	NDSL
출원인	케이엘에이 코포레이션
출원번호	10-2019-7033522
출원일자	2019-11-13
공개번호	20191128
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	상대적으로 작은 툴 풋프린트를 갖는 투과 소각 x 선 산란측정법(TSAXS) 시스템에 의해 반도체 디바이스의 치수 및 재료 속성을 특성 묘사하기 위한 방법 및 시스템이 본원에서 설명된다. 본원에서 설명되는 방법 및 시스템은, 감소된 광학 경로 길이를 갖는 반도체 구조체의 계측에 적절한 Q 공간 분해능을 가능하게 한다. 일반적으로, x 선 빔은 상대적으로 작은 타겟의 경우 웨이퍼 표면에 더 가깝게 그리고 상대적으로 큰 타겟의 경우 검출기에 더 가깝게 집속된다. 몇몇 실시형태에서, 달성 가능한 Q 분해능에 대한 검출기 PSF 한계를 완화하기 위해 작은 점 확산 함수(PSF)를 갖는 고분해능 검출기가 활용된다. 몇몇 실시형태에서, 검출기는 광자 변환 이벤트에 의해 자극되는 전자 구름의 질량 중심을 결정하는 것에 의해 서브픽셀 정확도로 입사 광자의 위치를 찾아낸다. 몇몇 실시형태에서, 검출기는 입사 위치 외에 하나 이상의 x 선 광자 에너지를 분해한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020197033522
첨부파일

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