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반도체 소자 및 이의 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	전자부품연구원
출원번호	10-2014-0033489
출원일자	2014-03-21
공개번호	20151008
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 발명은 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로써, 보다 구체적으로는 라미네이션 기술을 적용한 두꺼운 절연층을 포함한 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 씨모스 전력 증폭기(CMOS power amplifier), 저잡음 증폭기(LNA, Low Noise Amplifier), 전압 조정 발진기(VCO, voltage controlled oscillator) 등의 회로를 위한 인덕터 혹은 전송선로와 같은 수동소자의 성능을 향상시키는 효과가 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020140033489
첨부파일

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