| 초록 |
소자의 미세화에 대응해서, 패턴의 가늘어짐을 발생하는 일없이 축적용량이 큰 반도체기억장치 및 그 제조방법을 제공한다. 워어드선이 되는 게이트전극을 가진 트랜지스터영역(28)을 형성한다 사진석판 및 건식에칭에 의해 트랜지스터영역에 전기적으로 접속한 제1 및 제2인출용 다결정 실리콘패드를 형성한다. 전체면에 제1층간절연막(23)을형성한 후, 제2 인출용 다결정실리콘패드(22)에 전기적으로 접속한 비트선을 형성한다. 이 비트선위에 제2층간절연막(26)을 형성한 후, 석판인쇄 및건식 에칭에 의해 제1인출용 다결정실리콘패드위의 제1 층간절연막(23)에 접촉구멍(29)을 형성한다. 과학기상성장법(CVD법)에 의해 제1인출용 다결정실리콘패드의 표면으로부터 워어드선위 및 비트선의 일부영역위까지 선택적으로 또한 자기정합으로 제1다결정실리콘막을 선택성장시킨다. 화학기상성장법(CVD법) 또는 열산화법에 의해 제1다결정실리콘막(31)의 표면에 산화막을 형성한다. 방향성 건식에칭에 의해 제1다결정실리콘막(31) 위에 형성한산화막만을 제거한다. 제1다결정실리콘막의 노출면에만, 화학기상성장법에의해 제1다결정실리콘막을 선택성장시키므로써 축적전극(13)을 형성한다. 이 축적전극의 측벽에 남겨둔 산화막을 제거한다. 축적전극의 표면에 용량절연막(8)을 형성한다. 이 용량절연막(8)의 표면에 플레이트전극을 형성한다. |
