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특허/실용신안

고출력 질소 레이저 발생 장치

특허 실용신안 개요

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명 NDSL
출원인 ,
출원번호 10-1991-0024577
출원일자 1991-12-27
공개번호 20080509
공개일자 1994-09-24
등록번호 10-0080754-0000
등록일자 1994-12-26
권리구분 KPTN
초록 수-수십 나노초의 짧은 펄스와 수 MW 고출력을 이용하여 시간 분해능이 수마이크로인 빠른 현상을 관측하기에 적합한 광원을 제공하는 고출력 지소레이저장치를 제공하는데 목적이 있다. 고전압 입력을 저장하는 스토리지 캐패시터(12)와, 양극전극(19)과 음극전극(18)이 대향 배치되며 상기 양극전극(19)과 음극전극(18)사이의 양측에 피킹 캐패시터 어레이(15)가 배치된 질소레이저 공진기(14)와, 상기 스토리지 캐패시터(12)의 고에너지를 에너지 공진기(14)에 공급하는 스파크 갭(13)을 포함하는 질소레이저 장치에서, 상기 레이저 공진기(14)ㄴ의 피킹 캐패시터 어레이(150를 구성하는 각각의 피킹 캐패시터에 스파크 갭(13)의 출력에너지가 같은 시간에 분산 공급되도록 레이저 공진기(14)와 스파크 갭(13)사이에 반 타원형상의 전력 전송판(20)을 설치하는 구성으로 되어 있다. 전송선과 스파크 갭의 임피던스를 최대한으로 줄인 결과 30KV의 전압을 사용하여도 출력에너지를 단일펄스당 23mJ 로서 이득율은 1% 정도였다. 이때의 E/P는 이론적으로 설장한 200과 일치한다. 반면 같은 레이저이면서 40KV를 사용한 기존의 경우는 단일펄스당 20mJ 가 얻어지고 이드율 또한 0.04%에 불과하다.
원문URL http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1019910024577
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